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I nuovi IGBT da 1200V abbassano la temperatura operativa di forni a microonde e sistemi di cottura a induzione

 San Jose, California – 19 Marzo 2008 – La nuova serie di IGBT Field Stop Trench da 1200V sviluppata da Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), i modelli FGA20N120FTD e FGA15N120FTD, offre una soluzione particolarmente efficiente per i progettisti di applicazioni di riscaldamento a induzione. Attraverso la combinazione di una struttura Field Stop e della tecnologia trench gate resistenti all’effetto valanga, questi IGBT offrono il compromesso ottimale tra perdite di conduzione e commutazione, massimizzando l’efficienza. Rispetto agli IGBT NPT-Trench convenzionali, il dispositivo FGA20N120FTD vanta infatti perdite di conduzione inferiori del 25% e perdite di commutazione più basse dell’8%, con un sostanziale abbassamento della temperatura operativa del sistema. Attraverso la riduzione dei sistemi di raffreddamento, l’affidabilità di sistema aumenta mentre diminuiscono i costi complessivi. Un ulteriore incremento dell’affidabilità è assicurato da un FRD (Fast-Recovery Diode) integrato, ottimizzato per la tecnologia Zero Voltage Switching (ZVS).

 
Gli IGBT Fairchild FGA20N120FTD e FGA15N120FTD minimizzano le variazioni prestazionale e i malfunzionamenti operativi grazie alla limitata distribuzione dei parametri e alla maggior energia legata all’effetto valanga. Ciò avviene grazie all’innovativa struttura Field Stop di Fairchild e al sofisticato design proprietario della cella del trench gate.

 
Tra le caratteristiche salienti degli IGBT FGA20N120FTD e FGA15N120FTD si segnalano:

●         Basse Perdite di commutazione, che aumentano l’efficienza del sistema.

●         Bassa tensione di saturazione, che riduce le perdite di conduzione.

●         FRD (Fast-Recovery Diode) integrato, ottimizzato per la topologia ZVS, che aiuta i progettisti a ridurre il numero dei componenti, assicurando contemporaneamente l’affidabilità del sistema.

●         Limitata distribuzione dei parametri, che riduce la variabilità prestazionale.

●         Eccellenti caratteristiche di immunità all’effetto valanga, che estendono la vita operativa.

 
Gli IGBT FGA20N120FTD e FGA15N120FTD utilizzano terminali privi di piombo (Pb-free) caratterizzati da una sensibilità all’umidità conforme ai requisiti di reflow Pb-free stabiliti dallo standard IPC/JEDEC J-STD-020. Tutti i prodotti Fairchild sono progettati in modo da rispettare i parametri stabiliti dalla direttiva RoHS emanata dall’Unione Europea sulla limitazione all’impiego di determinate sostanze.

 
Prezzo (cadauno, 1.000 pezzi): FGA20N120FTDTU: 4,00 dollari; FGA15N120FTDTU: 2,80 dollari

 
Disponibilità: campionatura disponibile immediatamente

 
Consegna: 8 settimane dall’ordine

 
Informazioni per il contatto:

 
Per contattare Fairchild Semiconductor in merito a questo prodotto è possibile visitare l’indirizzo http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/.

 
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Nota: Datasheet in formato PDF sono disponibili ai seguenti indirizzi:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA20N120FTD.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA15N120FTD.pdf

 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) è un leader globale nelle tecnologie di potenza discrete e analogiche che forniscono soluzioni ad alta efficienza per ogni genere di sistemi elettronici. Fairchild, “The Power Franchise”, si contraddistingue per le tecnologie al silicio e di packaging all’avanguardia, oltre che per l’expertise nei sistemi e nei processi produttivi. Nel 2007 Fairchild ha festeggiato contemporaneamente i 10 di vita come nuova società e i 50 di attività nel settore. Considerata come “il padre della Silicon Valley”, nel 1958 Fairchild ha sviluppato il transistor planare dando vita a un settore totalmente nuovo. Fairchild è un produttore di semiconduttori application-driven orientati alle soluzioni che, come Global Power Resource, mette a disposizione tool di progettazione online e centri di design in tutto il mondo. La società è raggiungibile sul Web all’indirizzo www.fairchildsemi.com.